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臺(tái)積電CoWoS產(chǎn)能2025年翻倍,競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手緊追不舍

2025年1月3日 07:29  第一財(cái)經(jīng)  

近日SemiWiki發(fā)布數(shù)據(jù)報(bào)告稱,臺(tái)積電(201.58, 4.09, 2.07%)的先進(jìn)封裝CoWoS月產(chǎn)能(WPM)在2025年將達(dá)到6.5萬片/月至7.5萬片/月,而2024年的產(chǎn)能為3.5萬片/月至4萬片/月,今年產(chǎn)能預(yù)計(jì)將翻一倍。此前,臺(tái)積電CEO魏哲家在去年財(cái)報(bào)業(yè)績(jī)會(huì)上表示,2024年臺(tái)積電先進(jìn)封裝產(chǎn)能處于供不應(yīng)求的狀態(tài),狀態(tài)會(huì)持續(xù)到2025年,并將于2025年或2026年實(shí)現(xiàn)供需平衡。

該報(bào)告預(yù)計(jì),英偉達(dá)是2025年臺(tái)積電CoWoS的最主要客戶,占整體產(chǎn)能63%。同時(shí)根據(jù)光大證券,博通、AMD(120.63, -0.16, -0.13%)、美滿、亞馬遜(220.22, 0.83, 0.38%)等芯片大廠均對(duì)臺(tái)積電CoWoS的需求持續(xù)增加。

不過根據(jù)SemiWiki預(yù)計(jì),博通、AMD和美滿僅占2025年臺(tái)積電整體CoWoS產(chǎn)能10%左右,而亞馬遜、Intel Habana等僅占3%左右份額。臺(tái)積電的CoWoS產(chǎn)能可能在2025年主要供給于英偉達(dá),對(duì)于其它企業(yè)而言,其CoWoS可能仍處于供不應(yīng)求的情況。

CoWoS是臺(tái)積電推出的2.5D先進(jìn)封裝服務(wù),是英偉達(dá)生產(chǎn)H100、B100等GPU必不可少的制造工藝。CoWoS的技術(shù)路線圖顯示,臺(tái)積電目前主要采用的是CoWoS-S/L/R三種(按照CoWoS的中介層不同進(jìn)行的區(qū)分),采用3.3倍光罩尺寸,同時(shí)封裝8個(gè)HBM3。臺(tái)積電預(yù)計(jì)到2027年,公司主要采用CoWoS-L,8倍光罩尺寸,可同時(shí)封裝12個(gè)HBM4。此外,臺(tái)積電還推出了3D先進(jìn)封裝,名叫SoIC。

業(yè)界認(rèn)為摩爾定律正走向物理極限,通過先進(jìn)封裝提升芯片性能成為大勢(shì)所趨。不僅臺(tái)積電推出了2.5D及3D先進(jìn)封裝,而且另兩家頭部晶圓廠也紛紛推出相關(guān)服務(wù)。三星電子推出I-Cube、H-Cube和X-Cube三種先進(jìn)封裝,前兩者屬于2.5D封裝,后者為3D封裝。英特爾(20.22, 0.17, 0.85%)也推出EMIB、Foveros、Co-EMIB等2.5D和3D封裝服務(wù)。

目前臺(tái)積電處于領(lǐng)先地位。一位晶圓代工業(yè)者表示,臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)在于良率的know how,而這來自于多年的實(shí)際生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)積累。

一位從事先進(jìn)封裝EDA的人士告訴記者,2.5D封裝領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)的核心在于良率,并且良率的微小差別就會(huì)產(chǎn)生巨大成本差異:“2.5D或3D先進(jìn)封裝,封裝的是GPU、CPU、HBM等,一旦封裝出錯(cuò),就有可能損壞這些芯片,而這些芯片價(jià)格昂貴。”她進(jìn)一步指出,即使上述芯片未損壞,出現(xiàn)差錯(cuò)后,先進(jìn)封裝采用的高價(jià)值基板也會(huì)受損,并且市場(chǎng)化時(shí)間拉長(zhǎng),也會(huì)大幅抬升成本。

雖然臺(tái)積電在良率上略勝一籌,但是其它廠商在技術(shù)上也有創(chuàng)新。CoWoS采用的TSV中介層被認(rèn)為價(jià)格昂貴,也有廠商嘗試替代TSV中介層來降低成本,比如英特爾。英特爾推出EMIB的2.5D封裝采用了硅橋,而非TSV中介層,進(jìn)而避免了制造TSV中介層的工藝難度和高昂成本問題。此外,英特爾還將EMIB和Foveros(英特爾另一種2.5D和3D封裝技術(shù))相融合,推出了3.5D EMIB。

除了臺(tái)積電、三星和英特爾進(jìn)軍該領(lǐng)域外,封測(cè)廠也在嘗試,包括日月光、安靠等。上述晶圓廠代工人士認(rèn)為,此類先進(jìn)封裝涉及晶圓制造的前段制程,而封測(cè)廠少有涉獵,因而缺乏相關(guān)制造經(jīng)驗(yàn),所以對(duì)于未來高性能要求的先進(jìn)封裝只能晶圓廠做,封測(cè)廠難有競(jìng)爭(zhēng)力。不過,一位為晶圓廠制定先進(jìn)封裝方案的人士認(rèn)為,上述看法過于絕對(duì),在封測(cè)廠完成整套2.5D或3D先進(jìn)封裝在未來是完全可行的。

編 輯:章芳
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