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三星電子:2nm 良率爬坡好于預(yù)期,泰勒晶圓廠預(yù)計年底完成首批流片

2026年3月10日 07:46IT之家作 者:溯波(實習(xí))

參考韓媒 inews24 的報道,三星電子高管代表在出席韓國當(dāng)?shù)貢r間本月 5 日舉行的摩根大通投資者會議時表示,其 2nm 先進(jìn)制程的良率爬坡進(jìn)展好于此前預(yù)期,同時考慮將產(chǎn)能利用率低的生產(chǎn)線轉(zhuǎn)移至先進(jìn)封裝方向。

對于三星電子位于美國得州泰勒的晶圓廠,企業(yè)高管表示該項目當(dāng)前處于設(shè)備安裝階段,預(yù)計首批晶圓流片將在 2026 年底前完成(注:考慮到后續(xù)工序的用時,對應(yīng)的首批出貨時間將落在 2027 年)。

而在 HBM 相關(guān)業(yè)務(wù)方面,代表重申了 2026 年銷售額較 2025 年增長 3 倍、市占超越 30% 的目標(biāo),此外還稱 HBM3E 的價格今年可能會有所改善。三星電子將包含先進(jìn)制程、存儲器、先進(jìn)封裝的“交鑰匙”解決方案視為其后 HBM4 世代的關(guān)鍵增長點,同時計劃擴(kuò)大與代工廠伙伴的邏輯芯片定制合作。

編 輯:路金娣
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