據(jù)媒體報道，蘋果正在為20周年iPhone研發(fā)多項創(chuàng)新技術(shù)，其中HBM內(nèi)存被視為關(guān)鍵發(fā)展方向之一。
據(jù)悉，HMB全稱是High Bandwidth Memory，中文名為“高帶寬內(nèi)存”，這是一種全新的基于3D堆棧技術(shù)的高性能DRAM。
它能提高數(shù)據(jù)吞吐量，同時降低功耗并縮小內(nèi)存芯片體積，目前主要應(yīng)用于AI服務(wù)器，蘋果希望通過將移動HBM與iPhone的GPU單元連接來增強設(shè)備端AI能力，這項技術(shù)對于端側(cè)AI大模型至關(guān)重要，可避免電量過快耗盡，還能降低延遲。
具體來說，HBM采用TSV工藝進行3D堆疊，有效提升帶寬，實現(xiàn)更高的集成度，通過與處理器相同的“Interposer”中間介質(zhì)層與計算芯片實現(xiàn)緊湊連接，一方面既節(jié)省了芯片面積，另一方面又顯著減少了數(shù)據(jù)傳輸時間。
報道稱蘋果已與三星電子和SK海力士等主要內(nèi)存供應(yīng)商討論該計劃，三星正在開發(fā)名為VCS的封裝方案，而SK海力士則采用VFO技術(shù)，兩家公司都計劃在2026年后量產(chǎn)。
不過移動HBM面臨諸多挑戰(zhàn)，一是制造成本遠高于現(xiàn)有的LPDDR內(nèi)存，二是iPhone是一款輕薄設(shè)備，散熱是一項重要挑戰(zhàn)；三是3D堆疊和TSV工藝采用高度復(fù)雜的封裝工藝，良率也是一大挑戰(zhàn)。
若蘋果在2027年iPhone產(chǎn)品線中采用這項技術(shù)，這將成為20周年紀念機型的又一創(chuàng)新之舉，傳聞這款里程碑產(chǎn)品還將配備完全無邊框的顯示屏，展現(xiàn)蘋果在智能手機領(lǐng)域持續(xù)突破的決心。
